تیوب دستگاه لیزر و ذوب و تبخیر

تیوب لیزر و ذوب و تبخیر     Laser tubes and melting and evaporating machine ، موضوعی است که قصدداریم در این مقاله به آن بپردازیم. اما بهتر است قبل از پرداختن به موضوع تیوب لیزر و ذوب و تبخیر  به تنهای موضوع انواع لیزر های صنعتی  را بررسی کنیم تا د رمقالات بعدی دید بهتری به موضوع ذوب و تبخیر   داشته باشیم. (  تیوب لیزر و ذوب و تبخیر  )

ذوب و تبخیر

همانطور که میدانید با افزایش چگالی انرژی و زمان پالس ، عمق ذوب ماده تا بینهایت افزایش پیدا نمیکند ؛ زیرا هنگامی که دمای سطح ماده به نقطه ی جوش رسید، عمق ذوب به بیشینه مقدار خود رسیده و تبخیر ماده آغاز میگردد . افزایش بیشتر چگالی انرژی یا زمان پالس باعث تبخیر بیشتر ماده از سطح بدون افزایش بیشتر چگالی انرژی و زمان پالس تا پیش از رسیدن سطح ماده به نقطه ذوب باعث افزایش دمای ماده و توزیع حرارت درآن میگردد .(  تیوب لیزر و ذوب و تبخیر  )

تشکیل پلاسما

هنگامی که لیزر با شدتی بالا به ماده تابیده شود ، تبخیر سطحی قابل توجهی صورت میگیرد . زمانی که تبخیر آغاز میگردد . بخار بسیار یونیده همان پلاسما است. ایجاد پلاسما میتواند تاثیر مهمی روی برهم کنش پرتو لیزربا ماده داشته باشد ؛ به طوری که در ناحیه پلاسما شدت پرتو ورودی تغییر میکند. . عموما پلاسما نزدیک سطح تبخیر شده ماده تشکیل میگردد . این محدودبودن پلاسمای ساکن نزدیک سطح تبخیر شده، عموما به عنوان جفت شدگی پلاسما بیان میگردد. جفت شدگی پلاسما نقش مهمی در انتقال انرژی به فاز متراکم ایجاد میکند . انتقال انرژی ممکن است منجر به هددایت حرارتی ، تابش پلاسمای حرارتی طول موج کوتاه یا میعان بخار و بازگشت آن به سطح ماده گردد . جفت شدگی پلاسما ویژه در شرایطی مهم است که تابش لیزر به اندازه کافی توسط ماده جذب نمیگردد .

چنین شرایطی در طی پرتو دهی مواد با بازتابش بالا با پرتو لیزر فروسرخ وجود دارد . جفت شدگی پلاسما باعث افزایش قابل توجهی در ضریب جذب تابش لیزر به وسیله مواد میگردد. هنگامی که چگالی انرژی لیزر به صورت قابل توجهی افزایش میابد . برهمکنش دینامیکی پلاسما با پرتو با پرتو لیزر باعث انبساط سریع و دور شدن پلاسما از سطح تبخیر شده می گردد. در نهایت پلاسما از سطح جداشده و انرژی را به فاز متراکم ساکن انتقال میدهد .

در این صورت بیشتر تابش لیزر به وسیله پلاسما جذب میگردد. در نهایت پلاسما از سطح جدا شده و انرژی را به فاز متراکم ساکن انتقال میدهد . در این صورت بیشتر تابش لیزر به وسیله ی پلاسما جذب میگردد . این شرایط به عنوان حفاظ پلاسما بیان میگردد ؛ یعنی جداشدن پلاسمای ساکن و برهم کنش تابش لیزر با ماده توسط پلاسما .(  تیوب لیزر و ذوب و تبخیر  )

امیدواریم مقالهتیوب لیزر و ذوب و تبخیر مورد پسند شما کاربر گرامی واقع شده باشد. در نظر داشته باشید که مقاله تیوب لیزر و ذوب و تبخیر ممکن است با کلمات تیوب دستگاه لیزر,قیمت تیوب دستگاه لیزر,شارژ تیوب دستگاه لیزر,تیوب دستگاه برش لیزر,تیوب دستگاه برش لیزری,فروش تیوب دستگاه لیزر,تنظیم تیوپ دستگاه لیزر,خرید تیوب دستگاه لیزر,تیوب فلزی دستگاه لیزر,تیوب لیزر چیست,تیوب لیزر فلزی,تیوب لیزر ۱۰۰ وات,تیوب لیزر برش,تیوب لیزر co2,تیوب لیزر efr,تیوب لیزر reci,تیوب لیزر,تیوب لیزر قیمت,تیوب لیزر ۴۰ وات, در جستجوگرهای مختلف برای شما یافت شود.

جهت خرید انواع قطعات دستگاه لیزر در هر ساعتی می توانید با شماره ی همراه ۰۹۱۲۱۷۵۲۵۳۳ مدیر فروش ( آقای چهلمردان ) تماس حاصل فرمایید.

تیوب لیزر و تاریخچه ی لیزر

تیوب لیزر و تاریخچه ی لیزر    Laser tubes and laser history ، موضوعی است که قصدداریم در این مقاله به آن بپردازیم. اما بهتر است قبل از پرداختن به موضوع تیوب لیزر و تاریخچه ی لیزر  به تنهای موضوع تاریخچه ی لیزر  را بررسی کنیم تا د رمقالات بعدی دید بهتری به موضوع تیوب لیزر وتاریخچه ی لیزر  داشته باشیم. (  تیوب لیزر و تاریخچه ی لیزر  )

تاریخچه ی لیزر

لیزر هایکی از بزرگترین اختراعات نیمه دوم قرن بیستم میباشند . این نوع پرتو در سال ۱۹۱۷،به وسیله ی آلبرت انیشتین هنگامی که تعادل انرژی بین سامانه اتمی وپرتو های حاصله از آن ها را مطالعه مینمود (نظریه ی گسیل القایی)، (  تیوب لیزر و تاریخچه ی لیزر  )، پیش بینی شد.در سال ۱۹۴۰یک دانشمند روسی به نام فابریکانت (که در حال تجزیه طیف حاصل از تخلیه ی گازها بود)متوجه شد که میتوان از این پرتو ها در تقویت نور استفاده نمود . در سال ۱۹۵۱فابریکانت با همکاری دانشمندانی چون بوتایو و ورنیسکی ،نخستین تجربیات خود را در این زمینه به مرحله ی اجرا در آوردند .
در سال ۱۹۵۲پروخروف و باسوف از شوروی سابق و وبر از کانادا هم زمان و به طور مستقل مولد های کوانتمی با باند بسامدی حدود سانتی متر و دسی متر اختراع کردند که امروزه به نام میز مرسوم اند . میز برای تولید و تقویت بسامد های نوسانلت الکترو مغناطیسی میکرو ویو یا بسامد های پایدار مورد استفاده قرار میگیرد .در دسامبر ۱۹۶۰مایمن از آمریکا توانست نخستین مولد نوری را بسازد که به طور موفقیت آمیزی عمل نمود و در آن از یاقوت مصنوعی به عنوان ماده فعال استفاده گردید . با ظهور مولد نوری یاقوتی ،کلمه ی لیزر بوجود آمد . یک سال بعد در سال ۱۹۶۱ دانشمند ایرانی تبار ؛ علی جوان با همکاری هریوت آمریکایی لیزر گازی را اختراع نمودند.که در آن مخلوطی از گاز های هلیوم و نئون به عنوان ماده فعال استفاده کردند. در سال ۱۹۶۲در اتحاد شوروی سابق و آمریکا با استفاده از پرتو های القایی دیود های نیمه رسانا ، لیزر های نیمه رسانا اختراع شدند. در ۱۹۶۴لیزر nd:YAGو سپس لیزر دی اکسید کربن ساخته شد.نخستین لیزری که به عنوان لیزرصنعتی در فرایند ماشین کاری به کار رفت، در سال ۱۹۶۷ به ثبت رسید .

سازو کار عملکرد لیزر

همانطور که گفته شد ، نخستین بار گسیل القایی (که اساسی ترین جنبه ی عملکرد لیزر است)،توسط انیشتین در سال ۱۹۱۷ مطرح شد . کمابیش ۵۰سالبعد در سال ۱۹۶۰، مایمن نخستین لیزر یاقوت را مطرح کرد. سه عامل مورد نیاز برای تولید پرتوپر انرژی لیزر عبارتند از: جمعیت معکوس ؛گسیل القایی؛و تقویت . به منظور درک بهتر مفاهیم گسیل القایی و جمعیت معکوس بهتر است ابتدا با مفاهیم گسیل القایی و جمعیت معکوس بهتر است ابتدا با مفاهیم کلی تر گسیل ، جذب و تابش آشنا شد که همگی از خواص نور هستند.

گسیل و جذب

هیدرو ژن ساده ترین عنصر است که هسته اش از یک پروتن تشکیل شده است و یک الکترون به دورش میچرخد . بور متوجه شد که گردش الکترون هیدرو ژن به دور هسته هیلی بی قاعده نیست ، ولی مانند حرکت سیارات به دور خورشید ،منحصر به مدار واحد نیست .بلکه الکترون میتواند مدار های فرعی متعددی را اختیار کند . این که الکترون در هرلحظه کدام مدار فرعی را اشغال میکند ،بستگی به انرژی آن دارد . با انرژی کم،یک مدار فرعی وبا انرژی بیشتر ،مدار فرعی دیگری را اختیارمی کند .الکترونی که درمداری فرعی با انرژی زیاد قرار داشت باشد،به طور طبیعی میل دارد به مداری فرعی با انرژی کمتر سقوط کند.

تیوب لیزر و برخورد نورروی نیمه رسانا

تیوب لیزر و  برخورد نورروی نیمه رسانا    Laser tubes and semiconductor semiconductor collisions ، موضوعی است که قصدداریم در این مقاله به آن بپردازیم. اما بهتر است قبل از پرداختن به موضوع تیوب لیزر و  برخورد نورروی نیمه رسانا  به تنهای موضوع  برخورد نورروی نیمه رسانا   را بررسی کنیم تا د رمقالات بعدی دید بهتری به موضوع تیوب لیزر و  برخورد نورروی نیمه رسانا   داشته باشیم. (  تیوب لیزر و  برخورد نورروی نیمه رسانا  )

برخوردنورروی نیمه رسانا ها

از نظر ساختمان اتمی میتوان سه باند هدایت ، ممنوع و ظرفیت را برای مواد در نظر گرفت. باند هدایت، حاوی الکترون های آزاد است که وابستگی کمی به هسته دارد و در واقع به اتم خاصی تعلق ندارد ؛ باند ممنوع ، هیچ الکترونی زا در بر نمیگیرد و باند ظرفیت شامل الکترون هایی است که در پیوند ها شرکت دارند .(  تیوب لیزر و  برخورد نورروی نیمه رسانا  )

مواد نیمه رسانا

در مواد نیمه رسانا پهنای باند ممنوعه (که شکاف نوار نامیده میشود )، به اندازه ای است که الکترون ها با گرفتن انرژی نسبتا کمی قادرند به باند هدایت بروند. برخی از الکترون ها در دماهای بالا تر در اثر حرارت به باند بالاتر تحریک میشوند و برای هدایت الکتریکی در دسترس هستند بنابر این ، این باند بالاتر ، باند هدایت نامیده میشود . حالت های خالی در باند پایین تر یا ظرفیت نیز به وسیله رفتاری مشابه حامل های بار مثبت به هدایت کمک میکنند . به طور کلی نیمه رسانا ها از موادی مانند سیلیکون یا آرسنید گالیم با اضافه کردن مقادیر بسیار کمی ناخالصی تشکیل شده اند که تعداد الکترون های آزاد را افزایش (نوعN) یا تعداد الکترون های پیوندی را کاهش (نوعP) میدهند. رفتار نوری نیمه رسانا ها به وسیله شکاف نوار تحت تاثیر قرار میگیرد .(  تیوب لیزر و  برخورد نورروی نیمه رسانا  )

سیلیکون

سیلیکون یک شکاف نوار دارد. برای هر طول موج تابش الکترومغناطیس ، انرژی فوتون ها میتواند با استفاده از رابطه پلانگ بدست میآید . ثابت پلانگ است و بنابر این این مربوط به طول موج میشود نور باطول موج بیشتز از ۱٫۱(داشتن انرژی کمتر از شکاف نوار) با الکترون های هدایت برهمکنش نخواهد داشت ، بنابر این این مواد در طول موج های بلند شبیه یک نارسانا رفتار خواهند کرد . نور با طول موج کوتاه تر ، به اندازه کافی پرانرژی برای انجام برهمکنش میباشد . بنابراین سیلیکون شبیه یک فلز در دامنه مرئی رفتار میکند . نور به شدت جذب و کاملا بازتابنده است . در منطقه شکاف نوار (که فقط در مورد طول موج لیزر ND:YAG است.) جذب مواد بستگی زیادی به دمای آنها و میزان دوپ شدگی آنها دارد.